Вестник Северо-Кавказского федерального университета. 2017. Вып. 1 (58). С. 13-20
RUS
|
Автор(ы) Чеботарев Сергей Николаевич1, Мохамед Аднан Абду Абдуллах1, Лунина Марина Леонидовна2, Сысоев Игорь Александрович3, Лунин Леонид Сергеевич2, Пащенко Александр Сергеевич2, Гончарова Лидия Михайловна1, Еримеев Георгий Александрович1 |
|
Организация (и) 1Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова 2Южный научный центр Российской академии наук (ЮНЦ РАН) 3Северо-Кавказский федеральный университет |
|
Название |
|
Аннотация В статье предложена модель для исследования генерационно-рекомбинационных процессов в фотоэлектрических наноструктурах с промежуточной подзоной, позволяющая рассчитать их функциональные характеристики и эффективность преобразования солнечного излучения. Экспериментально выращены фотонаноструктуры с внедренными квантовыми точками InAs / GaAs. Показано, что представленная модель адекватно описывает экспериментальный эффект повышения тока короткого замыкания, достигаемого дополнительным поглощением ИК-фотонов |
|
Ключевые слова фотоэлектрические наноструктуры, квантовые точки, ионно-лучевая кристаллизация |